IR新一代Gen 7 F器件采用擊穿溝道式技術(shù),能夠?yàn)樘囟ǖ墓ぷ黝l率提供更高功率密度,以及經(jīng)過優(yōu)化的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低,能通過零溫度系數(shù)提升效率,使整個(gè)工作范圍都能保持高效率。該器件還能實(shí)現(xiàn)順暢開關(guān),以減少電磁干擾與過沖,并且能在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)額定短路。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新的600V Gen 7 F溝道IGBT具有非常低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,為在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,從而實(shí)現(xiàn)最佳效率?!?
IRG7RC10FD 和IRG7IC30FD 均與軟恢復(fù)二極管共同封裝,而IRG7SC12F 則是單一IGBT,可讓設(shè)計(jì)師根據(jù)應(yīng)用需要選擇合適的二極管。
兩款配備Gen 7 F IGBT的電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)現(xiàn)已供應(yīng)。IRMDKG7-400W包含適合高達(dá)400W電機(jī)的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路 (HVIC) 驅(qū)動(dòng)器,而IRMDKG7-600W包含適合高達(dá)600W電機(jī)的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路驅(qū)動(dòng)器。兩款參考設(shè)計(jì)都備有散熱片供用戶選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。有關(guān)器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。