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聯(lián)電南科廠動(dòng)土,2013下半年裝機(jī)

關(guān)鍵字:聯(lián)電  南科  晶圓廠 

在一個(gè)溫暖、陽光明媚的日子,聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科 Fab 12A 新廠正式動(dòng)土。據(jù)表示,新廠完工時(shí)每月產(chǎn)能將達(dá)五萬片 300mm 晶圓,最初將采用 28nm 制程,隨后將轉(zhuǎn)移到 20nm 和 14nm 制程。該公司預(yù)計(jì)2013下半年開始裝機(jī)。

 

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該廠將包含53,000mm2M的無塵室──該面積足夠容納十座足球場。這座新廠將座落在聯(lián)電現(xiàn)有的高階晶圓廠旁,目前這座晶圓廠已開始量產(chǎn)28nm Poly SiON制程,并已出貨了數(shù)千片使用該制程的晶圓樣品。聯(lián)電CEO 孫世偉預(yù)估,今年底28nm技術(shù)將占其總銷售額的5%。

 

IC Insights 總裁Bill McClean表示,聯(lián)電下一季銷售預(yù)估可上升15%,這個(gè)成長幅度相當(dāng)引人矚目,但仍然低于其競爭對手臺(tái)積電(TSMC)預(yù)估的20%銷售額成長。

 

 

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包括三百多家供貨商、合作伙伴,以及臺(tái)灣政府官員,都希望臺(tái)灣最重要的晶圓制造業(yè)務(wù)能持續(xù)成長。

 

盡管像Nvidia和高通(Qualcomm)等公司非??是?8nm制程,但由于這些公司需要最新的制造技術(shù),因此,他們目前仍然是競爭對手臺(tái)積電手中的客戶。目前尚不清楚聯(lián)電的Poly制程是否量產(chǎn),或是他們寧愿選擇今年底前才會(huì)試產(chǎn)的high-k金屬閘極版本。

 

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去年底,聯(lián)電被 GlobalFoundries 小幅超越,失去晶圓代工第二名的位置。像McClean這類市場觀察家則指出,聯(lián)電最終將下滑到第四名。

 

“臺(tái)積電仍是龍頭,而 GlobalFoundries 和三星(Samsung)則將爭奪第二的位置,”McClean說。“長遠(yuǎn)來看,聯(lián)電會(huì)發(fā)現(xiàn)愈來愈難在技術(shù)上維持領(lǐng)先,”他表示。

 

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然而,孫世偉和聯(lián)電有著自己的立場,這家公司不會(huì)試著擊敗臺(tái)積電,而是專注于緊密的客戶服務(wù)。

孫世偉對于被McClean這類分析師貼上“快速跟隨者”(fast follower)的卷標(biāo)不予置評。“這個(gè)產(chǎn)業(yè)中每個(gè)人都是跟隨者,我們都跟隨著英特爾的技術(shù)和生產(chǎn)能力,”他表示。

 

聯(lián)電仍擁有超過其最新廠房面積的土地,有朝一日,它可以在需要時(shí)建造更大型的晶圓廠。但問題在于,這家公司是否具備建廠所需的數(shù)十億美元。

 

聯(lián)電目前的財(cái)務(wù)狀況看起來還不錯(cuò)。孫世偉表示,該公司的負(fù)債/權(quán)益比為20%,如果需要更多資源,還可以提高到30%。此外,聯(lián)電最近也表示正在研究一個(gè)高達(dá)6億美元的私募股權(quán)投資案。

 

聯(lián)電還必須解決許多問題。這家公司必須證明他能量產(chǎn)迄今僅提供測試芯片的20nm制程、開發(fā)14nm制程,包括FinFET在內(nèi),而且必須加快2.5D和 3D芯片的開發(fā)腳步。另外,該公司也同樣面對轉(zhuǎn)移到450nm晶圓以及超紫外光(EUV)微影技術(shù)的挑戰(zhàn),二者都意味著更龐大的投資。

 

目前,聯(lián)華缺乏像臺(tái)積電般的產(chǎn)量、像GlobalFoundries的阿布達(dá)比金錢支援,以及像Samsung和IBM等共同開發(fā)共享平臺(tái)的合作伙伴支持。

 

另外,臺(tái)灣法規(guī)也限制了聯(lián)電的發(fā)展。根據(jù)法令,公司的外國股權(quán)不能超過10%。這家公司也面臨著與中國合作關(guān)系的限制。

 

因此,聯(lián)電必須尋找能夠解決技術(shù)、商業(yè)和政策面問題的方法,才能讓未來的發(fā)展道路更加清晰。而就在動(dòng)土當(dāng)天,陽光如此明媚、溫暖,看起來,似乎也代表了今年應(yīng)該是個(gè)好年頭的預(yù)兆。

 

 

 

 

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