2016年全球DRAM市場比拼20納米產(chǎn)能

2015年受到需求面不振、持續(xù)供過于求的影響，DRAM價格呈現(xiàn)顯著衰退，尤其以標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存最為明顯。TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，在寡占市場型態(tài)下，雖然小幅供過于求且價格持續(xù)下滑，各供貨商生產(chǎn)仍保持紀(jì)律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續(xù)2013年與2014年態(tài)勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

 

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2016年雖然受惠于智能手機及服務(wù)器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，但各項終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。

DRAMeXchange預(yù)估2016年整體DRAM需求增長約為23%，供給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過于求，DRAM單價持續(xù)下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉(zhuǎn)進所帶來的成本下降以及產(chǎn)品組合的調(diào)配。

 

2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下：

 

年度位元產(chǎn)出來自20納米制程轉(zhuǎn)進，晶圓投片量大約持平

吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態(tài)，各供貨商在產(chǎn)能的擴張上皆有所節(jié)制，相較仍處于完全競爭市場型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來自于SK海力士與美光半導(dǎo)體20/21納米的轉(zhuǎn)進，晶圓產(chǎn)能上，除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續(xù)啟用之外，2016年DRAM總投片量與2015年呈現(xiàn)持平。

 

DDR4正式取代DDR3成為市場主流

 

隨著市場需求轉(zhuǎn)變以及20納米逐漸成熟，DDR4的生產(chǎn)比例越來越高。2015年由于Intel平臺支持度的問題，DDR4的導(dǎo)入主要發(fā)生在服務(wù)器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預(yù)估，個人計算機（PC）/筆記本電腦端由新平臺Skylake開始采用DDR4，將會在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。

 

行動式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存生產(chǎn)比重持續(xù)提升

 

智能手機受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來越高，高端旗艦機型（除蘋果以外）以3GB/4GB為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。吳雅婷指出，2016年第二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機型問市，大幅增加移動式內(nèi)存的需求動能。服務(wù)器內(nèi)存亦然，受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB組件成本降低，促使廠商策略性調(diào)降價格以刺激需求，有助于服務(wù)器內(nèi)存生產(chǎn)比重提升。

 

中國大陸進軍DRAM意圖仍在，但進入門坎高，難有進展

 

2016年中國大陸持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，內(nèi)存方面更是中國大陸發(fā)展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態(tài)勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態(tài)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，引進新的競爭者恐怕導(dǎo)致更嚴(yán)重的供過于求，因此三強與中國大陸合作可能性低，使得中國大陸欲進軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠(yuǎn)高過其他半導(dǎo)體產(chǎn)品類別。