隨著2D技術(shù)微縮瓶頸凸顯，2016年三星、東芝、美光、SK海力士等紛紛擴大或加快3D NAND投產(chǎn)。三星最早在2013年以24層投入3D NAND生產(chǎn)，2016年主要量產(chǎn)32層和48層3D NAND，將在年底前開始出貨64層3D NAND，預計年底前3D NAND生產(chǎn)比重可提升至40%。
2016年除了三星，東芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND，東芝已出樣64層3D NAND，美光和SK海力士在2017年也將分別投入64層和72層3D NAND生產(chǎn)，同時東芝Fab 2、美光Fab 10x已開始進入投產(chǎn)階段，再加上SK海力士M14在2017年投產(chǎn)，3D NAND市場競爭已進入白熱化階段。
三星除了2013年在中國西安興建3D NAND專用工廠，還在2016上半年將華城Fab 16改造成48層3D NAND產(chǎn)線，以及計劃在2016年底啟動Fab 17產(chǎn)線量產(chǎn)3D NAND，現(xiàn)在提前平澤廠的投入時間，可以預見三星在2017年的3D NAND產(chǎn)能將會大增。
三星為了穩(wěn)固在3D NAND市場的領先地位，以及滿足市場對高存儲密度和高性能NAND Flash的需求，據(jù)韓媒etnews 4日報導稱，三星平澤廠將提前三個月投產(chǎn)，目前平澤廠的建筑工事進入尾聲 ，正修筑工廠外墻，預計12月完工，緊接著開始設備投資，購買無塵室設施和晶圓生產(chǎn)儀器等。
據(jù)早期報道，三星在2015年投資興建平澤存儲器工廠，第一階段投資規(guī)模達15.6兆韓元，再投入10兆韓元，總投資規(guī)模將達25兆韓元以上，主要用于發(fā)展10nm工藝和3D技術(shù)，預計在2017年投入生產(chǎn)，未來將成為三星重要存儲器生產(chǎn)基地。
西安三星工廠于2014年5月竣工，產(chǎn)能配置還是傳統(tǒng)2D閃存
此外，中國西安的三星工廠也將是未來64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地之一，三星12英寸閃存芯片工廠（西安）一期工程投資規(guī)模高達441億元，可以生產(chǎn)最先進的10納米級閃存芯片，去年發(fā)布950 Pro時三星就提到西安工廠是最早量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的工廠。
