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恩智浦超小型MOSFET采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤

關(guān)鍵字:恩智浦  MOSFET  可焊性鍍錫側(cè)焊盤 

恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì),與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質(zhì)量更好。

 

即將面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產(chǎn)品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A,10V時(shí)的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),因此導(dǎo)通損失小,功耗更低,電池使用壽命更長(zhǎng)。

 

 

《國(guó)際電子商情》

 

新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米,比當(dāng)今市場(chǎng)上大多數(shù)2 mm x 2 mm的產(chǎn)品更加輕薄,是智能手機(jī)和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用,其中包括直流電機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明,在這類應(yīng)用中 功率密度和效率尤為關(guān)鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝的八分之一,提供與其相當(dāng)?shù)臒嶙瑁軌虼婢哂邢嗤瑢?dǎo)通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝,如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產(chǎn)品線,截止到今年年末將有超過60種封裝,封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今,恩智浦是超小型低導(dǎo)通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產(chǎn)商,提供電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和雙極晶體管技術(shù)。

 

 

 

 

 

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
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HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
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