羅姆推出高溫下超低IR肖特基勢壘二極管，可降低車載、電源設(shè)備的功耗約40％

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設(shè)備，開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低I_R肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動車（EV）和混合動力車（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。

本產(chǎn)品已從1月份開始銷售樣品（樣品價格50～200日元／個），從5月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.（日本岡山縣），后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（馬來西亞），ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.（泰國）、ROHM Korea Corporation（韓國）進(jìn)行。

 

 

高溫環(huán)境下使用的車載、電源設(shè)備的電路中，由于擔(dān)心熱失控，因此普遍采用整流二極管和快速恢復(fù)二極管（FRD）。但是由于整流二極管和FRD的V_F值較高，因此很難實現(xiàn)EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下，V_F值較低的肖特基勢壘二極管（SBD）在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產(chǎn)品的開發(fā)需求逐年高漲。

 

此次，羅姆通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬，實現(xiàn)了業(yè)界頂級低I_R化。與傳統(tǒng)的SBD相比，I_R降低到約1/100，使高溫環(huán)境下的使用成為可能。

 

由此，整流二極管和FRD的替換成為可能，V_F特性得以大幅改善（與傳統(tǒng)的FRD相比，V_F降低約40％）。另外，更低V_F可以抑制發(fā)熱，成功實現(xiàn)小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。

 

羅姆今后還會進(jìn)一步推進(jìn)整流二極管的替換帶來的低V_F化、小型化，不斷為提高車載、電源設(shè)備的效率做出貢獻(xiàn)。

 

特點(diǎn)

 

1）與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，損耗約降低40％

 

與一般用于車載的FRD相比，V_F降低約40％。有助于降低功耗。

 

2）小型封裝有助于節(jié)省空間

與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，可實現(xiàn)小一號尺寸的封裝設(shè)計。

 

3）高溫環(huán)境下亦無熱失控

實現(xiàn)了超低I_R，因此Ta=150℃也不會發(fā)生熱失控，可在車載等高溫環(huán)境下使用。

 

規(guī)格

 

術(shù)語解說

1. 肖特基勢壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“正向壓降少、開關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開關(guān)電源等。

 

2. 快速恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode： FRD）

正向施加的電壓向反向切換時，反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時間―即反向恢復(fù)時間快的一種二極管。

 

3. V_F ( Forward Voltage)

是指正向電流經(jīng)過時二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。

 

4. I_R（Reverse Current）

是指施加反向電壓時發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。

 

5. 熱失控

反向損耗超過散熱，損耗進(jìn)一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級上升的狀態(tài)。