英特爾日前在官網(wǎng)宣布，與美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化，具體內(nèi)容則是雙方將會在2018年繼續(xù)研究第三代3D NAND的研發(fā)與生產(chǎn)，并且將持續(xù)到2019年年初，在此之后雙方將不再合作。

目前，英特爾和美光正在進行第二代64層3D閃存的增產(chǎn)工作，所以近期內(nèi)不會出現(xiàn)太多的合作變動。

兩家公司已經(jīng)同意在這一技術(shù)節(jié)點之后，雙方將獨立開發(fā)3D NAND，以便更好地為各自的業(yè)務(wù)需求優(yōu)化技術(shù)和產(chǎn)品。

Intel強調(diào)，這次“分手”是雙方同意的，獨立之后二者將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品并提供更好的服務(wù)給客戶，分開之后不會對路線圖和技術(shù)節(jié)點造成影響。

“英特爾和美光科技建立了成功的長期合作關(guān)系，令雙方受益匪淺?，F(xiàn)在，NAND 開發(fā)合作關(guān)系已經(jīng)發(fā)展到了適當(dāng)階段，是時候讓兩家公司致力于各自專注的市場。”英特爾非易失性存儲解決方案部門高級副總裁兼總經(jīng)理 Rob Crooke 說，“我們的 3D NAND 和 Optane 技術(shù)路線圖為客戶應(yīng)對當(dāng)下的眾多計算和存儲需求提供了強大的解決方案。”

“美光與英特爾的合作由來已久，我們期待在未來各自進行 NAND 開發(fā)的同時繼續(xù)就其他項目與英特爾合作。”美光科技技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說，“我們3D NAND 技術(shù)的開發(fā)路線圖非常穩(wěn)固，計劃在我們業(yè)界領(lǐng)先的 3D NAND 技術(shù)基礎(chǔ)上，將極具競爭力的產(chǎn)品推向市場。”

Intel和鎂光的合作可以追溯到2005年。當(dāng)時雙方成立了合資企業(yè)IM Flash Technologies（IMFT），孕育的首批產(chǎn)品是72nm NAND。2012年，Intel把多數(shù)IMFT工廠的股份賣給了美光，只保留Lehi這一個據(jù)點。

此后，雙方就開始各自興建自己的生產(chǎn)線，開始生產(chǎn)一些自家品牌的存儲產(chǎn)品。美光獨自建立Fab工廠生產(chǎn)NAND Flash，并提供NAND Flash給英特爾，研發(fā)工作仍然是兩家聚集在Lehi工廠共同進行。

另外，英特爾和美光兩家公司將繼續(xù)共同運營猶他州的Lehi工廠，該工廠主要是負責(zé)3D XPoint的研發(fā)與生產(chǎn)，所以即使雙方停止了3D NAND的合作，也不會影響3D XPoint技術(shù)的發(fā)展和制造。

據(jù)AnandTech分析，Intel和美光的市場屬性不同，Intel只愿意將美光提供的閃存給自己的SSD用，而美光則急于參與全球競爭，想把閃存賣給更多客戶，尤其是手機廠商，這或許是“分手”的主要原因。

AnandTech猜測，也可能是 NAND 堆疊層數(shù)破百之后，需要調(diào)整 String Stacking 的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。

另一個可能是，目前 3D NAND 的生產(chǎn)主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等都采用此一方式，英特爾／美光是唯一采用浮閘（floating gate）架構(gòu)的業(yè)者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構(gòu)，但是此舉等于坦承失敗，代表從2D NAND 轉(zhuǎn)換成 3D NAND 后，續(xù)用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。

對普通消費者來說，這次“分手”具有很多積極的意義。內(nèi)存市場今后產(chǎn)品更拓寬，新的技術(shù)也應(yīng)該會更快推出，多頭競爭應(yīng)使內(nèi)存的價格更趨于合理。