關(guān)鍵字:三菱電機(jī) IGBT PCIM
新MPD系列IGBT模塊外型緊湊,采用新型無焊接AI基板,提供更高的溫度循環(huán)能力。針對(duì)大電流專用的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用專門的封裝,內(nèi)部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術(shù)制成的第6代IGBT模塊,享有更寬的安全工作區(qū),杰出的短路魯棒性,并擁有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機(jī)驅(qū)動(dòng)、分散式電力發(fā)電(如風(fēng)力發(fā)電)及大功率UPS等場(chǎng)合。
此外,新MPD系列IGBT模塊分1200V及1700V兩種額定電壓,其中CM2500DY-24S的額定電流高達(dá)2500A。其硅片最高結(jié)溫可達(dá)175°C,硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150 °C。為了提高散熱效率,新MPD專為水冷散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而提高產(chǎn)品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低,實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接, 交流和直流主端子分離,便于直流母排連接。
新MPD 照片
三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司副總經(jīng)理兼半導(dǎo)體事業(yè)部部長(zhǎng)谷口豐聰先生說:“由于市場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的散熱功能十分重視,三菱電機(jī)推出的新MPD系列IGBT,非常適合水冷散熱,更能切合市場(chǎng)需求。”
現(xiàn)在,半導(dǎo)體功率器件都是采用硅材料,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為硅材料的節(jié)能能力已經(jīng)接近極限。目前,人們把注意力放到開發(fā)碳化硅材料。碳化硅由于有著優(yōu)良的物理和電氣特性,可以期待在電力變換容量、低耗等方面大大超越硅材料。
三菱電機(jī)在2010年在世界上首先開發(fā)成功完全采用碳化硅、搭載驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比,電力消耗減少70%、器件體積減少50%。另外,在世界上首次將搭載碳化硅二極管的功率器件用于家用空調(diào),并使之商品化。
在這次展會(huì)中,三菱電機(jī)同時(shí)展出多個(gè)系列的產(chǎn)品,包括汽車用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊; 工業(yè)和變頻家電用的DIPIPMTM(雙列直插式智能功率模塊)等等,旨在向中國(guó)市場(chǎng)提供更低功耗、更低成本和更高穩(wěn)定性的產(chǎn)品和技術(shù)。