GF 28nm工藝明年正式量產(chǎn)，14nm導(dǎo)入FinFET技術(shù)

Globalfoundries 高級(jí)技術(shù)架構(gòu)辦公室主管Kengeri日前在Computex上就Globalfoundries在28nm Gate-first HKMG制程工藝及EUV光刻技術(shù)方面的進(jìn)展和未來(lái)計(jì)劃做了演示說(shuō)明。Kengeri表示，Globalfoundries的gate-first工藝能夠提供足夠的晶體管門(mén)限電壓調(diào)整空間，其可調(diào)范圍超過(guò)了300mV，完全可以滿(mǎn)足產(chǎn)品的需求。他同時(shí)還宣稱(chēng)公司在使用Gate-first工藝時(shí)并沒(méi)有出現(xiàn)由于費(fèi)米栓現(xiàn)象而導(dǎo)致的門(mén)限電壓失控問(wèn)題。另外他還指出Globalfoundries的gate-first工藝應(yīng)對(duì)LVT（低門(mén)限電壓）/SLVT（超低門(mén)限電壓）產(chǎn)品時(shí)的性能是很穩(wěn)定的。

 

在他看來(lái)， Globalfoundries在28nm節(jié)點(diǎn)選擇gate-first工藝主要有兩個(gè)因素，首先是gate-first工藝生產(chǎn)的芯片相比40nm產(chǎn)品而言尺寸微縮程度更高，他表示升級(jí)到28nm節(jié)點(diǎn)后晶體管的速度提升了50%，而每次開(kāi)關(guān)時(shí)的能耗則減小了50%。另外一個(gè)因素是gate-first工藝可以基本保持原有的40nm產(chǎn)品的布線設(shè)計(jì)，而且28nm節(jié)點(diǎn)上gate-first工藝制造的晶體管在體積上也比gate-last工藝要小10-20%左右。Kengeri的這番話(huà)顯然和前不久前臺(tái)積電北美副總裁的說(shuō)法形成了鮮明的對(duì)比，臺(tái)積電方面宣布準(zhǔn)備在28nm制程節(jié)點(diǎn)啟用gate-last HKMG工藝。

 

因?yàn)榘殉种鳩inFET技術(shù)的77%專(zhuān)利，GlobalFoundries聲稱(chēng)其所在的聯(lián)盟已經(jīng)占據(jù)了市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)權(quán)，而英特爾只能是追趕該聯(lián)盟的角色。Kengeri說(shuō)到，77%的FinFET技術(shù)專(zhuān)利是由GlobalFoundries、IBM、三星通用平臺(tái)聯(lián)盟共同擁有，英特爾無(wú)疑已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了FinFET技術(shù)，但是通用平臺(tái)聯(lián)盟中的企業(yè)已經(jīng)在FinFET技術(shù)的研究上努力了十余年，并且已經(jīng)掌握了其中77%的專(zhuān)利權(quán)，這將在專(zhuān)利紛爭(zhēng)不斷的今天占得的先機(jī)，而GlobalFoundries也會(huì)在14nm制程上開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。顯然GlobalFoundries也已經(jīng)走上了FinFET之路，而臺(tái)積電仍舊沒(méi)有任何這方面的計(jì)劃宣布，“業(yè)界對(duì)臺(tái)積電的制造技術(shù)由此產(chǎn)生了巨大的懷疑。”他稱(chēng)。

 

Kengeri同時(shí)透露：“我們的28nm制程將以高性能和低功耗為目標(biāo)，今年底前我們會(huì)完成相關(guān)產(chǎn)品的流片設(shè)計(jì)，明年初則會(huì)開(kāi)始試產(chǎn)。雖然實(shí)際產(chǎn)品的上市時(shí)間可能因客戶(hù)而異，但我們預(yù)計(jì)明年上半年會(huì)有我們的28nm產(chǎn)品上市。”Globalfoundries公司的28nm制程工藝將分為三種類(lèi)型：28nm HPP（高性能）型：這種工藝主要為性能進(jìn)行優(yōu)化，非常適合顯卡芯片，游戲機(jī)芯片，存儲(chǔ)芯片，網(wǎng)絡(luò)芯片以及多媒體編碼器芯片等產(chǎn)品使用；28nm-SLP(超低功耗)型：這種工藝更為重視功耗指數(shù)，非常適合無(wú)線移動(dòng)設(shè)備如各類(lèi)應(yīng)用處理器，基帶芯片，手機(jī)芯片等對(duì)省電性能要求較高的應(yīng)用；28nm-LPH（低功耗高性能）型：這種工藝主要適合高端的移動(dòng)計(jì)算芯片，比如雙核與四核的高頻應(yīng)用處理器。據(jù)悉28nm-SLP制程將用于制造基于ARM架構(gòu)的SOC芯片產(chǎn)品，而28nm-HPP制程的適用對(duì)像則無(wú)疑是AMD的顯卡芯片，此前我們已經(jīng)知道AMD會(huì)使用Globalfoundries的28nm制程工藝制作其下一代顯卡芯片產(chǎn)品。

 

GlobalFoundries的產(chǎn)能已經(jīng)每月超過(guò)20萬(wàn)片12英寸晶圓，并且已經(jīng)滿(mǎn)足了其所有的32nm晶圓的訂單需求。在過(guò)去一個(gè)月中，GlobalFoundries在Dresden生產(chǎn)了8萬(wàn)片晶圓，在新加坡生產(chǎn)了5萬(wàn)片，而在紐約州的晶圓廠將會(huì)每月生產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓。 從收入角度看，超過(guò)80%的收入來(lái)自于65nm及以下工藝，對(duì)比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)電，這個(gè)比例要高很多。

 

另外，Kengeri還透露Globalfoundries會(huì)緊抓三個(gè)技術(shù)發(fā)展方向：先進(jìn)光刻技術(shù)，材料（新材料及其整合）以及芯片3D封裝技術(shù)。他表示Globalfoundries公司在14nm制程節(jié)點(diǎn)可能會(huì)啟用EUV光刻技術(shù)投入生產(chǎn)。不過(guò)他表示按照公司原來(lái)的計(jì)劃，并沒(méi)有準(zhǔn)備在14nm制程節(jié)點(diǎn)啟用EUV技術(shù)，浸沒(méi)式光刻技術(shù)應(yīng)該就可以滿(mǎn)足其要求，不過(guò)公司將EUV技術(shù)視為降成本的重要手段，而且提前使用EUV還可以為公司積累有關(guān)的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，這樣到10nm節(jié)點(diǎn)以下必須啟用EUV技術(shù)時(shí)便可以有充分準(zhǔn)備。