2018-07-13
近日，三星電子宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時擁有超大容量和超高速度。電子制作模塊
近兩年3D NAND發(fā)展速度十分迅猛，2018年各大廠商的之間的堆疊大戰(zhàn)一直在進行著，目前市場中的主流產(chǎn)品堆疊層數(shù)各家基本持平，都保持在64層的階段。但是這一平衡即將被打破，三星電子宣布第五代V-NAND 3D堆疊閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，其堆疊層數(shù)達到96層是目前行業(yè)紀錄，三星第五代V-NAND采用96層堆疊設(shè)計，內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元，每單元可保存3比特數(shù)據(jù)，單Die容量達256Gb(32GB)。
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
為了實現(xiàn)上述所有的改進，新一代V-NAND采用了96層層堆疊設(shè)計，它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種制造方法包括了許多先進技術(shù)，比如電路設(shè)計、新工藝技術(shù)等。具體細節(jié)三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進讓每個存儲層的厚度已經(jīng)削薄了20%，并使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。
據(jù)了解，三星目前正在全力擴大第五代V-NAND 3D堆疊閃存的生產(chǎn)線以增加產(chǎn)量。另外還有消息稱，三星正在計劃開發(fā)1TB（128GB）容量的QLC V-NAND閃存顆粒，來降低超大容量的SSD產(chǎn)品售價，以滿足服務(wù)器、超算等高密度存儲領(lǐng)域需求。
移動設(shè)備訪問
