11月新品推薦：傳感器、DC-DC、無(wú)線模塊、NNA、MOSFET

傳感器

3D圖像傳感器

據(jù)觀察，游戲、虛擬電子商務(wù)、3D線上教育等應(yīng)用，采用3D深度傳感器打造沉浸式增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）體驗(yàn)，連接現(xiàn)實(shí)與數(shù)字世界，且市場(chǎng)需求強(qiáng)勁。預(yù)計(jì)至2024年，后置攝像頭搭載3D傳感器的智能手機(jī)出貨量將達(dá)到每年5億部以上。

11月2日，英飛凌與pmdtechnologies攜手開發(fā)采用飛行時(shí)間（ToF）技術(shù)的3D深度傳感器，其目標(biāo)是打造最具沉浸式且智能的AR體驗(yàn)，以及在低光源條件下通過(guò)加快自動(dòng)對(duì)焦速度，或運(yùn)用圖像分割技術(shù)（picture segmentation），拍出更漂亮的夜間人像照，以提升拍照效果。此新款芯片的開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了以低功耗達(dá)到10米測(cè)量距離，為圖像傳感器、驅(qū)動(dòng)器和處理能力的帶來(lái)新一代應(yīng)用。

據(jù)悉，新款芯片能整合到微型化相機(jī)模組中，為AR精準(zhǔn)測(cè)量短距和遠(yuǎn)距的深度，同時(shí)滿足低功耗要求，為圖像傳感器節(jié)省下超過(guò)40%的電量。該芯片將于2021年第二季度開始量產(chǎn)。

接近傳感器

11月16日，Vishay推出兩款分辨率高達(dá)20µm、適用于各種壓力感測(cè)應(yīng)用的新型全集成汽車級(jí)接近傳感器——VCNL3030X01和VCNL3036X01。這兩款傳感器將光電二極管、放大器和ADC電路集成在4mm * 2.36mm，厚度僅為0.75mm的表面貼封裝中。該芯片采用板載紅外發(fā)射器（IRED），VCNL3036X01最多可配置三個(gè)外置IRED，采用含有內(nèi)部邏輯電路的板載驅(qū)動(dòng)器。

據(jù)悉，該芯片經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，適用于汽車、消費(fèi)電子、智能家居、工業(yè)、辦公和玩具產(chǎn)品，與前代傳感器相比，提高了分辨率并降低成本。用于車輛轉(zhuǎn)向控制、筆記本智能電源按鈕和多點(diǎn)觸控板，以及物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備和廚用電器觸摸板等壓力感測(cè)應(yīng)用時(shí)，該芯片可防止誤觸發(fā)，甚至允許用戶戴手套。

新型接近傳感器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為6至12周。

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器

11月12日，Imagination推出面向先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和自動(dòng)駕駛應(yīng)用的新一代神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器（NNA）產(chǎn)品——IMG Series4。它擁有全新的多核架構(gòu)，可提供600TOPS（每秒萬(wàn)億次操作）甚至更高的超高性能，并且可為大型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)工作負(fù)載提供低帶寬和極低的延遲。

功耗方面，Imagination的NNA架構(gòu)旨在執(zhí)行完整的網(wǎng)絡(luò)推理，同時(shí)滿足功能安全要求。它可以一次執(zhí)行多個(gè)操作，從而最大化每瓦性能并提供行業(yè)領(lǐng)先的能效。

該芯片主要應(yīng)用于洗車領(lǐng)域，服務(wù)對(duì)象包括汽車行業(yè)顛覆者、一級(jí)供應(yīng)商、整車廠（OEM）和汽車系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）廠商。目前Series4已經(jīng)開始提供授權(quán)，并將于12月在市場(chǎng)上全面供應(yīng)。

無(wú)線模塊

11月2日，Silicon（芯科科技）宣布擴(kuò)充其預(yù)認(rèn)證的無(wú)線模塊產(chǎn)品系列，專門用于滿足現(xiàn)代物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)需求。該產(chǎn)品系列包括xGM210PB、BGM220、MGM220和BGX220 Xpress，是業(yè)內(nèi)獨(dú)特的全棧多協(xié)議解決方案模塊，滿足商業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并具有靈活的封裝選項(xiàng)和高度集成的設(shè)備安全性。

據(jù)悉，Silicon高集成度的模塊具有多種封裝選項(xiàng)，包括系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）和傳統(tǒng)印制電路板（PCB）封裝。SiP模塊包含微型組件，空間受限的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)通過(guò)基于模塊的解決方案，從而消除了對(duì)復(fù)雜射頻設(shè)計(jì)和認(rèn)證的需求。PCB模塊可實(shí)現(xiàn)靈活的引腳訪問(wèn)以及可擴(kuò)展射頻性能的其他選擇。

其中，xGM210PB具有Secure Vault、ARM PSA2級(jí)認(rèn)證的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備安全性以及對(duì)藍(lán)牙、Zigbee和OpenThread動(dòng)態(tài)多協(xié)議的穩(wěn)定支持，且支持Wi-Fi共存。xGM210PB模塊針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括可連接照明、網(wǎng)關(guān)、語(yǔ)音助手和智能電表家用顯示器，提供最大+20dBm的輸出功率且優(yōu)于-104dBm的靈敏度。

以上四款芯片現(xiàn)已量產(chǎn)，可提供樣品和開發(fā)工具套件。

DC-DC轉(zhuǎn)換器

11月18日，Silanna推出針對(duì)USB-PD應(yīng)用的最新系列寬電壓、高頻負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器。兩個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器（降壓穩(wěn)壓器）的SZPL3102A/3103A系列最高工作頻率為2MHz，可實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的寬輸入和寬輸出范圍轉(zhuǎn)換器，并以小巧的3mm * 3mm QFN封裝支持高達(dá)24VDC輸入。

據(jù)官方介紹，更高的開關(guān)頻率意味著可使用更小體積和更低成本的輸出濾波器，已經(jīng)試用過(guò)樣片的客戶都感到非常滿意， SZPL3102/3103能夠以最小尺寸和重量實(shí)現(xiàn)突破性效率。其支持工具能夠給客戶提供更高的靈活性和信心，幫助快速提高性能和效率，最終提高設(shè)計(jì)的功率密度，而體積只有低頻競(jìng)爭(zhēng)解決方案的12％。SZPL3102/3103大大降低了BOM成本，并縮短了設(shè)計(jì)周期和上市時(shí)間。

SZPL3102A和SZPL3103A具有獨(dú)特的功能，可優(yōu)化其在USB端口電源應(yīng)用中的性能。非常低的運(yùn)行功耗可實(shí)現(xiàn)極低的空載功率，這是監(jiān)管認(rèn)證的一個(gè)重要指標(biāo)。此外，SZPL3102A包含一個(gè)瞬時(shí)內(nèi)部反饋路徑，可允許進(jìn)行干凈且受控的啟動(dòng)操作，直到外部USB-PD控制器可以為自身設(shè)置偏壓，并接管輸出電壓的控制為止。

Silanna結(jié)合了內(nèi)部和外部電阻分壓器的靈活性，以方便為客戶提供定制設(shè)計(jì)支持?，F(xiàn)正在向主要客戶提供樣片，并將于2020年下半年全面供貨。

MOSFET

繼2月份推出25V裝置后，11月3日，英飛凌又推出了OptiMOS™ 40V低電壓功率MOSFET，采用源極底置（SD, Source-Down）PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm * 3.3mm。這款40V SD MOSFET 適用于服務(wù)器的SMPS、電信和OR-ing，還適用于電池保護(hù)、電動(dòng)工具和充電器等應(yīng)用。

SD封裝的內(nèi)部采用上下倒置的芯片，可以讓源極電位（而非汲極電位）能通過(guò)導(dǎo)熱片連接至PCB。與現(xiàn)有技術(shù)相比，此版本最終可使RDS(on)大大降低25%。相較于傳統(tǒng)的PQFN封裝，接面與外殼間的熱阻（RthJC）亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達(dá)194A的高連續(xù)電流。此外，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的配置可能性和更有效的PCB利用，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和出色的性能。

目前，低電壓功率MOSFET提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。兩個(gè)版本皆采用PQFN 3.3mm * 3.3mm封裝，已開始接受訂購(gòu)。