需求復(fù)雜化，嵌入式Flash架構(gòu)再進(jìn)化

現(xiàn)今電子產(chǎn)品正變得越來(lái)越復(fù)雜，功能正在擴(kuò)大，設(shè)備要連接到網(wǎng)絡(luò)，用戶接口運(yùn)用更多圖形和互動(dòng)。這些進(jìn)步需要更快的隨機(jī)讀取性能，滿足消費(fèi)者的體驗(yàn)期望；而儲(chǔ)存下載的應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)，也需要更高密度的閃存。閃存已成為系統(tǒng)內(nèi)更加重要的組成部分。

 

針對(duì)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，Spansion資深副總裁暨首席技術(shù)官Saied Tehrani表示，閃存技術(shù)正持續(xù)演進(jìn)和擴(kuò)大規(guī)模來(lái)滿足這些新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之需要；但仍需要架構(gòu)和接口的進(jìn)化，使性能達(dá)到更高的水平。那些需簡(jiǎn)化內(nèi)存子系統(tǒng)的應(yīng)用程序和需減少針腳數(shù)的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品，將會(huì)持續(xù)從平行閃存轉(zhuǎn)型到串行閃存。

 

電荷捕獲技術(shù)，解決可靠性問(wèn)題

 

再者，標(biāo)準(zhǔn)型NAND Flash內(nèi)存產(chǎn)品最大挑戰(zhàn)之一在于浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù)的縮放比例。業(yè)界發(fā)現(xiàn)今日的解決方案2 xnm節(jié)點(diǎn)，在質(zhì)量和可靠性方面造成嚴(yán)重降級(jí)，使得錯(cuò)誤偵測(cè)、錯(cuò)誤更正碼和控制器更加錯(cuò)綜復(fù)雜。Tehrani指出：“浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù)正面臨瓶頸，我們將需要新的記憶產(chǎn)品。Spansion相信電荷捕獲技術(shù)可能是橋接業(yè)界需要，實(shí)現(xiàn) 1 x nm NAND的未來(lái)走向。”

 

基于此，Spansion的65nm閃存產(chǎn)品已使用電荷捕獲技術(shù)，而45nm電荷捕獲技術(shù)平臺(tái)已達(dá)合格要求，未來(lái)可使用在并行和串行 NOR 產(chǎn)品的發(fā)展。另外，Spansion也應(yīng)用電荷捕獲技術(shù)來(lái)創(chuàng)建在43nm節(jié)點(diǎn)上NAND的產(chǎn)品。Saied Tehrani強(qiáng)調(diào)：“這項(xiàng)技術(shù)證明了平面、可擴(kuò)展的 1Xnm NAND的生產(chǎn)技術(shù)是可行的。”此外，電荷捕獲技術(shù)也可用于3D NAND產(chǎn)品。整體而言，Spansion未來(lái)將持續(xù)投資于更高性能和密度的嵌入式NOR Flash內(nèi)存市場(chǎng)的解決方案。

 

Spansion目前在嵌入式市場(chǎng)提供三種主要類型的非揮發(fā)性閃存產(chǎn)品，包括并行 NOR Flash、串行 NOR Flash 與單層式NAND Flash。主要應(yīng)用目標(biāo)領(lǐng)域包括汽車、工業(yè)、計(jì)算機(jī)科技、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、游戲和部分無(wú)線產(chǎn)品。Spansion最新一代的 65nm 并行 NOR、Spansion GL產(chǎn)品、串行 NOR和Spansion FL產(chǎn)品等能提供業(yè)界最快的讀取的性能，因此廣獲業(yè)者青睞。

 

 

Spansion的語(yǔ)音協(xié)同處理器
 

 

Spansion新近發(fā)表搭載 Nuance VoCon 軟件引擎的Acoustic Coprocessor （Spansion語(yǔ)音協(xié)同處理器），便備受汽車業(yè)等領(lǐng)域的期待。據(jù)了解此為業(yè)界第一款人機(jī)接口 （HMI） 協(xié)同處理器，可提供以語(yǔ)音控制的系統(tǒng)接口，主要應(yīng)用于汽車、游戲及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的語(yǔ)音識(shí)別系統(tǒng)。Spansion Acoustic Coprocessor包含自定義設(shè)計(jì)的邏輯與高速內(nèi)存，以促成并優(yōu)化具有語(yǔ)音功能的人機(jī)接口，同時(shí)減輕傳統(tǒng) CPU 處理聲音數(shù)據(jù)的工作負(fù)載。

彈性產(chǎn)能及服務(wù)，滿足多元需求

 

針對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)的經(jīng)營(yíng)，Spansion則推出了新的低密度串行閃存產(chǎn)品，從4 Mb到64 Mb，目標(biāo)為消費(fèi)類電子產(chǎn)品。Spansion在中國(guó)的重點(diǎn)市場(chǎng)包括機(jī)頂盒、家庭聯(lián)網(wǎng)設(shè)備如調(diào)制解調(diào)器和家用網(wǎng)關(guān)，以及像推動(dòng)下一代 4G/LTE移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的企業(yè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

 

Tehrani表示，Spansion的客戶包括市場(chǎng)最受歡迎的品牌，以及較小的利基型電子公司等。Spansion近年更獲得許多公司所頒贈(zèng)的最佳供貨商獎(jiǎng)，其中包括Coship, 富士通, 華為, TCL和中興等公司。

 

Spansion在中國(guó)擁有專注于客戶端的工程師、市場(chǎng)營(yíng)銷和銷售團(tuán)隊(duì)來(lái)直接服務(wù)客戶，并且廣泛支持全球和區(qū)域的經(jīng)銷商，包括艾睿，安富利，亞訊科技，益登科技，e絡(luò)盟，北高智，匯新和威健，提供銷售和技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。Spansion最近還在鎮(zhèn)江和上海成立新的研究與開(kāi)發(fā)中心，聚焦于發(fā)展具成本競(jìng)爭(zhēng)力的串行 NOR 閃存，開(kāi)發(fā)中國(guó)和全球市場(chǎng)。事實(shí)上，包括中國(guó)大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)，其2012年第一季營(yíng)業(yè)額已占Spansion總營(yíng)收將近三分之一。

 

根據(jù)Spansion所提供的資料，該公司新近于2012年的第一季，在嵌入式 NOR市場(chǎng)取得領(lǐng)先，營(yíng)收達(dá)2億1,900萬(wàn)美元，并且贏得超過(guò)450種閃存產(chǎn)品的新設(shè)計(jì)。有關(guān)生產(chǎn)策略，Saied Tehrani指出，Spansion的生產(chǎn)策略是充分靈活利用在得克薩斯州奧斯汀市的內(nèi)部晶圓廠，廣泛生產(chǎn)110nm、 90nm和 65nm技術(shù)的產(chǎn)品，并從代工伙伴包括在中國(guó)武漢市的中芯國(guó)際獲得額外的產(chǎn)能來(lái)補(bǔ)充產(chǎn)能需求。這個(gè)具彈性的產(chǎn)能，可確保我們能夠響應(yīng)客戶需求的變化。

 

推動(dòng)嵌入式IP授權(quán)業(yè)務(wù)，與晶圓大廠合作

 

的確，對(duì)于嵌入式內(nèi)存業(yè)者而言，滿足多樣化市場(chǎng)為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，臺(tái)灣的常憶科技主要以嵌入式閃存IP授權(quán)滿足客戶的多元需求，包括手機(jī)NFC SIM、觸控銀幕、智能卡、MCU、PC與外圍、智能型家電、工業(yè)控制等各類產(chǎn)品。其中又以NFC SIM及智能卡等為市場(chǎng)主力。常憶科技新近便推出pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案，適用于低功率傳輸裝置例如銀 行卡，NFC等。

 

 

pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案
 

 

據(jù)了解，常憶科技所推出的0.18um pFusion嵌入式閃存解決方案，已與多家晶圓合作伙伴合作生產(chǎn)超過(guò)3年，本次推出的0.13um pFusion嵌入式閃存解決方案，系擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域，提供許多非接觸/接觸雙適配卡產(chǎn)品更進(jìn)一步降低成本的途徑。

 

常憶科技創(chuàng)立于1995年，該公司由pFlash和pFusion兩個(gè)事業(yè)單位組成，前者pFlash主要為開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型NOR內(nèi)存，后者pFusion則負(fù)責(zé)將嵌入式非揮發(fā)內(nèi)存的生產(chǎn)技術(shù)及智財(cái)權(quán)授權(quán)予晶圓代工廠及IC設(shè)計(jì)公司，并提供客制化設(shè)計(jì)及技術(shù)咨詢服務(wù)。

 

pFlash和pFusion的擦寫規(guī)格包括20萬(wàn)次擦寫后仍可保存數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)20年，以及低于百萬(wàn)分之四的出貨質(zhì)量水平。常憶pFusion事業(yè)處總經(jīng)理張有志指出，”存儲(chǔ)單元具有專利的雙晶體管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的數(shù)據(jù)寫入機(jī)制，可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財(cái)面積的最小化、以及最短的測(cè)試時(shí)間。此外，閃存單元的制造技術(shù)使用傳統(tǒng)的ETOX結(jié)構(gòu)，使工廠的生產(chǎn)和微縮更簡(jiǎn)單容易。”常憶并預(yù)計(jì)于2014年推出65nm pFusion嵌入式閃存解決方案。

 

張有志表示，就目前常憶的營(yíng)收比例而言，仍以標(biāo)準(zhǔn)型NOR內(nèi)存的貢獻(xiàn)較大，然而，智財(cái)權(quán)(IP)收入的比重雖低，但毛利率相當(dāng)高，張有志指出，”在IP部分，我們目前的主要客戶為和鑒、中芯等。未來(lái)將積極打入其他晶圓代工業(yè)者，致力拉升營(yíng)收比重。”

 

就全球嵌入式閃存產(chǎn)業(yè)生態(tài)來(lái)看，以常憶及SST(已并入Microchip)這兩家公司耕耘嵌入式閃存IP最深，而隨著全球手機(jī)支持手機(jī)付費(fèi)功能及觸控功能的發(fā)展，常憶科技在此領(lǐng)域的成績(jī)頗受期待。