內存投資帶動，2019下半年全球晶圓廠設備支出反跌回升

報告指出，2018年至2019年，晶圓廠設備投資僅下滑7%，相較于先前所預測降幅18%獲得顯著改善。

SEMI全球行銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，“晶圓廠設備支出成長主要來自于先進的邏輯芯片片制造與晶圓代工業(yè)者對于內存，尤其是3D NAND的投資挹注持續(xù)成長。”

SEMI 同時修正2020年晶圓設備投資預測，總金額上修至580億美元，整體市場轉趨樂觀。

由圖1黃色趨勢線可見，內存設備支出力道是扭轉全球晶圓廠設備支出放緩趨勢的關鍵。整體設備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10%及12%，其中下滑主因便來自全球內存設備支出萎縮。在2019上半年內存設備投資下滑幅度達38%，降至100億美元的水平之下；其中又以3D NAND的設備投資下滑幅度最為慘烈，衰退57%；DRAM的設備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。

在臺積電與英特爾(Intel) 的引領下，先進邏輯芯片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預計在2019下半年攀升26%，而同一時期3D NAND支出則將大幅成長逾70%。盡管今年上半年對于DRAM的投資仍持續(xù)下降，但自7月份以來的下降幅度已較和緩。

報告進一步顯示，2020上半年，受到索尼(Sony)建廠計劃的帶動，圖形感測器的投資預期將成長20%，下半年增幅更將超過90%，達16億美元高峰；另外，在英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroelectronics)和博世(Bosch)的投資計劃，電源管理元件的投資預計大幅增長40%以上，下半年將維持成長態(tài)勢，再度上升29%，金額上看近17億美元。

在2019年11月公布的最新一期全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast)，SEMI追蹤并更新了全球440處晶圓廠和生產線在2018~2020年期間的每季支出。 SEMI全球晶圓廠預測報告列出1,300多處前端制程晶圓廠和生產線，以及135處預計在2019年或以后開始量產的設施，本次報告也提供每季產能擴充、技術制成、3D層、產品類型和晶圓尺寸等各項晶圓廠支出。